无锡先瞳申请具有两个 VDMOS 串联的功率集成电路及其制造方法专利，提高功率集成电路性能

金融界 2025 年 5 月 10 日消息，国家知识产权局信息显示，无锡先瞳半导体科技有限公司申请一项名为“具有两个 VDMOS 串联的功率集成电路及其制造方法”的专利，公开号 CN119947237A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种具有两个 VDMOS 串联的功率集成电路，包括：埋氧层，其沿横向方向延伸；隔离柱，其沿纵向方向延伸，所述隔离柱与所述埋氧层形成空间的电性隔离区；第一功率 MOS 管，其位于所述电性隔离区之外；第二功率 MOS 管，其位于所述电性隔离区之内，所述第二功率 MOS 管包括第二 N 掺杂层、第二 N 型外延层、第二 p 型基体区、第二介质层、第二源区、第二漏极、第二栅极和第二源极，所述第二漏极与所述第一源极位于第二 N 掺杂层所在水平面的同一侧且两者电连接。本申请实施例还提供一种功率集成电路的制造方法。

天眼查资料显示，无锡先瞳半导体科技有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本600万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡先瞳半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息3条，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员