力晶积成电子申请存储器装置专利，能提升存储器装置性能

金融界 2025 年 5 月 3 日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“存储器装置”的专利，公开号 CN119907233A，申请日期为 2023 年 11 月。

专利摘要显示，本发明公开一种存储器装置，其包括基底、第一互连结构、第一元件和第二元件、第二互连结构以及第三互连结构。基底包括彼此相对的第一表面和第二表面。第一互连结构设置在基底的第一表面上。第一元件和第二元件设置在基底和/或第一互连结构中。第一互连结构包括配置为最邻近第一元件和第二元件的多个第一配线层。第二互连结构设置在第一互连结构上。第三互连结构设置在基底的第二表面上且包括配置为最邻近第一元件和第二元件的多个第二配线层。第一元件和第二元件各自包括通过第一配线层的第一电连接路径以及通过第二配线层的第二电连接路径。

本文源自：金融界

作者：情报员