新磊半导体申请半导体外延层抗腐蚀性标定方法专利，实现对 AlGaAs 外延层抗腐蚀性的标定

金融界 2025 年 4 月 30 日消息，国家知识产权局信息显示，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种半导体外延层抗腐蚀性标定方法”的专利，公开号 CN119880767A，申请日期为 2025 年 3 月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体外延层抗腐蚀性标定方法，涉及半导体测试技术领域。该方法包括：采用 HCl 腐蚀液腐蚀 InGaP 外延层；采用显微镜观察样品表面，测量获得圆形腐蚀图形的尺寸随腐蚀时间变化的数据；对数据进行线性拟合，以获得线性函数关系；根据线性函数关系，计算获得图形尺寸为零时对应的腐蚀时间。本方法通过测量腐蚀液穿透 AlGaAs 外延层形成的腐蚀图形尺寸随时间变化关系，可以计算推测出 AlGaAs 外延层未被穿透的最长抗腐蚀时间，实现对 AlGaAs 外延层抗腐蚀性的标定，从而为器件工艺的制定提供了依据。

天眼查资料显示，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司，成立于2011年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6350.7246万人民币。通过天眼查大数据分析，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司参与招投标项目13次，专利信息70条，此外企业还拥有行政许可27个。

本文源自：金融界

作者：情报员