南亚科技申请存储器元件以及其制作的方法专利，可降低在字元线结构和位元线结构之间的电容

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器元件以及其制作的方法”的专利，公开号CN 119789416 A，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，一种存储器元件，包含基板、第一字元线结构、第一介电层、介电衬垫和位元线结构。第一字元线结构位于基板中，并包含第一底导电材料和第一顶导电材料，其中第一底导电材料的顶表面比第一顶导电材料的底表面宽。第一介电层在第一字元线结构之上。介电衬垫衬于第一字元线结构。位元线结构位于该基板之上。其可降低在字元线结构和位元线结构之间的电容，并可进一步改善位元线结构与基板之间的漏电。

本文源自：金融界

作者：情报员