半导体元件工业申请高动态范围成像浮散伪影消除专利，消除高动态范围成像中的浮散伪影

金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“高动态范围成像中的浮散伪影消除”的专利，公开号CN119946455A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本公开涉及高动态范围成像中的浮散伪影消除。用于消除高动态范围成像中的浮散伪影的图像传感器、成像系统和方法。该图像传感器包括像素阵列和控制器。该控制器被配置为检测第一像素信号处于或低于势垒值。该第一像素信号在第一曝光期间生成。该控制器还被配置为将相邻像素信号与该势垒值进行比较。该控制器还被配置为在该相邻像素信号中至少一者高于该势垒值时基于第二像素信号确定该中心像素的第一图像值。该第二像素信号在比该第一曝光短的第二曝光期间生成。该控制器还被配置为在该相邻像素信号中每一者都处于或低于该势垒值时将该第一图像值设定到该第一像素信号。

本文源自：金融界

作者：情报员