安芯电子申请基于闪烁噪声快速提取GaN HEMT器件接触电阻的方法和系统专利，操作方便快捷

金融界2025年5月7日消息，国家知识产权局信息显示，安徽安芯电子科技股份有限公司申请一项名为“基于闪烁噪声快速提取GaN HEMT器件接触电阻的方法和系统”的专利，公开号CN119936606A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种基于闪烁噪声快速提取GaN HEMT器件接触电阻的方法和系统，涉及功率半导体器件测试表征技术领域。该方法是先测得GaN器件的IdVg转移曲线，再利用1/f噪声测试仪获得GaN器件在线性区不同栅极电压下的电流噪声谱，至少8个栅极电压点，然后基于GaN HEMT器件的二维电子气导致的噪声和接触电阻引起的噪声对栅电压的不同依赖关系，提取得到GaN HEMT器件的接触电阻。本发明的操作方便快捷，不需要额外设计对比不同器件的工艺参数，只需对测试器件直接进行测试就能提取接触电阻参数，并且噪声测试属于无损测试，不会导致器件发生性能变化，具有一定的通用性，对GaN HEMT器件在电路中的应用具有重要参考意义。

天眼查资料显示，安徽安芯电子科技股份有限公司，成立于2012年，位于池州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2717.9846万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽安芯电子科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可59个。

本文源自：金融界

作者：情报员