中晶新源申请一种 RC-IGBT 及其形成方法专利，有效降低了 VF 提升反向恢复性能节省面积

閲戣瀺鐣� 2025 骞� 4 鏈� 11 鏃ユ秷鎭�紝鍥藉�鐭ヨ瘑浜ф潈灞€淇℃伅鏄剧ず锛屼腑鏅舵柊婧愶紙涓婃捣锛夊崐瀵间綋鏈夐檺鍏�徃鐢宠�涓€椤瑰悕涓衡€滀竴绉� RC-IGBT 鍙婂叾褰㈡垚鏂规硶鈥濈殑涓撳埄锛屽叕寮€鍙� CN 119789448 A锛岀敵璇锋棩鏈熶负 2024 骞� 12 鏈堛€�

涓撳埄鎽樿�鏄剧ず锛屾湰鍙戞槑鎻愪緵涓€绉� RC鈥慖GBT 鍣ㄤ欢锛屽寘鎷�細IGBT 鍖哄煙璁剧疆 IGBT 鍣ㄤ欢锛涗簩鏋佺�鍖哄煙涓庢墍杩� IGBT 鍖哄煙鐩搁偦锛屼簩鏋佺�鍖哄煙璁剧疆浜庡厓鑳炲唴锛屾墍杩颁簩鏋佺�鍖哄煙璁剧疆娣辨Ы锛屾墍杩版繁妲界殑渚у�璁剧疆钖勬爡姘у寲灞傦紝鐢ㄤ簬褰㈡垚 SBR 浜屾瀬绠★紝鎵€杩版繁妲界殑搴曢儴璁剧疆鍘氭哀鍖栧眰銆傛湰鍙戞槑鎻愪緵鐨� RC鈥慖GBT 閲岀殑 PN 浜屾瀬绠＄敤 SBR 浜屾瀬绠℃潵鏇夸唬锛屾湁鏁堥檷浣庝簡 VF锛屾彁鍗囦簡 RC鈥慖GBT 鍙嶅悜鎭㈠�鐨勬€ц兘鎻愬崌锛屽悓鏃跺彲浠ヨ妭鐪佷簩鏋佺�鐨勯潰绉�紝浣块潰绉�埄鐢ㄦ渶澶у寲銆�

澶╃溂鏌ヨ祫鏂欐樉绀猴紝涓�櫠鏂版簮锛堜笂娴凤級鍗婂�浣撴湁闄愬叕鍙革紝鎴愮珛浜�2017骞达紝浣嶄簬涓婃捣甯傦紝鏄�竴瀹朵互浠庝簨闆跺敭涓氫负涓荤殑浼佷笟銆備紒涓氭敞鍐岃祫鏈�5000涓囦汉姘戝竵锛屽疄缂磋祫鏈�4130涓囦汉姘戝竵銆傞€氳繃澶╃溂鏌ュぇ鏁版嵁鍒嗘瀽锛屼腑鏅舵柊婧愶紙涓婃捣锛夊崐瀵间綋鏈夐檺鍏�徃璐�骇绾跨储鏂归潰鏈夊晢鏍囦俊鎭�9鏉★紝涓撳埄淇℃伅25鏉★紝姝ゅ�浼佷笟杩樻嫢鏈夎�鏀胯�鍙�1涓�€�

鏈�枃婧愯嚜锛氶噾铻嶇晫

浣滆€咃細鎯呮姤鍛�