长江存储申请半导体器件专利，提高半导体器件中电容结构的电容量以及集成度

金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件、存储系统及半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN119947083A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件、存储系统及半导体器件的制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高半导体器件中电容结构的电容量以及集成度。该半导体器件包括堆叠结构，第一接触结构和多个第二接触结构。堆叠结构包括层叠设置的多层第一绝缘层、多层第一导电层和多层第二导电层，相邻两个第一导电层之间设有至少一层第二导电层。第一接触结构贯穿堆叠结构，且与多层第一导电层连接。多个第二接触结构贯穿堆叠结构的至少部分，每个第二接触结构与对应的一层第二导电层连接。上述半导体器件具有较高的集成度和电容量。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1384次，财产线索方面有商标信息971条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

本文源自：金融界

作者：情报员