深圳真茂佳取得SiC MOSFET器件及其制备方法专利

金融界2025年4月9日消息，国家知识产权局信息显示，深圳真茂佳半导体有限公司取得一项名为“一种SiC MOSFET器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN 113823674 B，申请日期为2021年9月。

天眼查资料显示，深圳真茂佳半导体有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3397.636363万人民币，实缴资本3397.636363万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳真茂佳半导体有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员