上海积塔半导体申请 MIM 电容器及制备方法专利，降低 MIM 电容器漏电流提高其可靠性

金融界 2025 年 5 月 10 日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“MIM 电容器及制备方法”的专利，公开号 CN119968113A，申请日期为 2025 年 2 月。

专利摘要显示，本发明提供了一种 MIM 电容器及制备方法，MIM 电容器包括下极板金属层、介质层和上极板金属层；介质层至少包括依次层叠的第一子介质层、第二子介质层以及第三子介质层；第一子介质层和第三子介质层的制备方法与第二子介质层的制备方法不同。本发明通过把 MIM 电容器的介质层从单一的化学气相沉积薄膜调整为通过原子层沉积获得顶层和底层的子介质层，采用化学气相沉积获得中间子介质层，从而实现可以精确控制顶层和底层的子介质层的厚度，改善顶层和底层的子介质层的均匀性和致密性，顶层和底层的子介质层具有高致密度和无针孔的特性，同时顶层和底层的子介质层与中间的子介质层形成界面层，可以降低 MIM 电容器的漏电流从而提高其可靠性。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1816次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1068条，此外企业还拥有行政许可191个。

本文源自：金融界

作者：情报员