河南中宜创芯发展有限公司申请提高半导体碳化硅粗颗粒含量专利，降低生产成本

金融界 2025 年 5 月 5 日消息，国家知识产权局信息显示，河南中宜创芯发展有限公司申请一项名为“一种提高半导体碳化硅粗颗粒含量的方法”的专利，公开号 CN119911910A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种提高半导体碳化硅粗颗粒含量的方法，包括按一定化学计量比称量高纯 Si 粉和高纯 C 粉，将其混合均匀后，装入石墨坩埚中；将装有高纯 Si 粉和高纯 C 粉混合料的石墨坩埚放入真空合成炉，关上炉盖，待抽真空以后，充入惰性气体至所需压强；将坩埚自上而下平均等分为四个区域，按一定升温速率进行升温，并控制各区域温度，同时进行保温操作，以此来进行高温合成；降温停炉，待一段时间后，即可得到所需的碳化硅粉体。本发明方法合理可行，设计巧妙，操作难度低，适应高纯碳化硅粉体大规模商业化应用，并降低生产成本，对现有技术来说，具有很好的市场前景和发展空间。

天眼查资料显示，河南中宜创芯发展有限公司，成立于2023年，位于平顶山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30000万人民币。通过天眼查大数据分析，河南中宜创芯发展有限公司参与招投标项目14次，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可27个。

连科半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本11312.5万人民币。通过天眼查大数据分析，连科半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可5个。

本文源自：金融界

作者：情报员