长江存储科技申请半导体结构及其制备方法专利，降低晶体管之间产生的电磁干扰

金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN119893982A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决如何降低晶体管之间产生的电磁干扰问题。半导体结构包括多个第一晶体管和隔离结构。至少两个第一晶体管沿第一方向排列。隔离结构位于在第一方向上相邻的两个第一晶体管之间。隔离结构包括孪晶诱导层和导体层，孪晶诱导层位于导体层和第一晶体管之间，且与导体层接触。上述半导体结构用于实现数据的读取和写入操作。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1380次，财产线索方面有商标信息970条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

本文源自：金融界

作者：情报员