杭州士兰申请ESD结构等专利，能在较小面积下实现较高击穿电压

金融界2025年4月8日消息，国家知识产权局信息显示，杭州士兰微电子股份有限公司申请一项名为“ESD结构、ESD器件及ESD芯片”的专利，公开号 CN 119767794 A，申请日期为 2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供 了一种ESD结构，包括依 次堆叠的衬底、埋层、外 延，第一阱区位于外延 中，第二阱区从外延延 伸至与埋层接触，M个相 互分离的第三阱区位于第二阱区中，第一隔离结构跨接在所述 第一阱区和第二阱区上，第一有源区位于第一阱区的部分上以 及每个第三阱区的部分上，第二有源区，位于未被第一有源区 以及第一隔离结构覆盖的第二阱区上，第二阱区上的第一有源 区和第二有源区经第二隔离结构隔离。本发明能在较小的面积 下实现较高的击穿电压和较强的ESD防护能力，且维持电压高， 电压应用范围广，回滞效应大为降低，能够避免闩锁风险。

天眼查资料显示，杭州士兰微电子股份有限公司，成立于1997年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本166407.1845万人民币，实缴资本166407.1845万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州士兰微电子股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息51条，专利信息1147条，此外企业还拥有行政许可247个。

本文源自：金融界

作者：情报员