爱思开海力士申请半导体装置及其制造方法专利，提供高度集成的存储单元的半导体装置及其制造方法

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN 119789419 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本技术提供了一种包括高度集成的存储单元的半导体装置及其制造方法。一种制造半导体装置的方法可以包括：在下结构上方形成包括在第一方向上彼此间隔开的多个凹陷目标层的垂直堆叠；通过在垂直于第一方向的第二方向上使凹陷目标层凹陷来形成初步水平层；在初步水平层上形成介电目标层；在介电目标层上形成导电目标层通过在与第二方向相交的第三方向上修整介电目标层来形成层间介电层；通过在第三方向上修整初步水平层来形成水平层；以及通过在第三方向上修整导电目标层来形成修整目标层。

本文源自：金融界

作者：情报员