上海新微半导体申请背入射雪崩光电探测器及其制作方法专利，提高背入射雪崩光电探测器外量子效率

金融界 2025 年 5 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“背入射雪崩光电探测器及其制作方法”的专利，公开号 CN119907320A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本发明提供一种背入射雪崩光电探测器及其制作方法，探测器包括：衬底，所述衬底包括相对设置的正面与背面；刻蚀阻挡层，位于所述衬底的正面，所述衬底的背面形成有暴露所述刻蚀阻挡层的凹槽；外延结构，位于所述刻蚀阻挡层上，所述外延结构包括上电极接触层；上电极层，位于所述外延结构上；DBR 反射镜，位于所述凹槽内且位于所述刻蚀阻挡层底部。本发明通过在衬底的背面形成暴露刻蚀阻挡层的凹槽，在凹槽内形成 DBR 反射镜，能够精确控制整个谐振腔的长度，通过调整谐振腔的长度产生共振增强的效应，由此提高背入射雪崩光电探测器外量子效率，提高背入射雪崩光电探测器的响应度及速率。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本90950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目805次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息88条，此外企业还拥有行政许可70个。

本文源自：金融界

作者：情报员