南亚科技申请半导体结构及其制造方法专利，改善电容器结构的电容及漏电性能

金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN119893989A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明的实施例提供一种半导体结构，包括设置在基板上方的主动装置层及设置在主动装置层上的电容器结构。电容器结构包括设置于主动装置层上的第一导电层、设置于第一导电层上的绝缘层、设置于绝缘层上的第二导电层、设置于第二导电层上的第三导电层、在俯视图中围绕第一导电层的底部内绝缘层、在俯视图中围绕底部内绝缘层的第二内导电层、及在俯视图中围绕第二内导电层的第三内导电层。此外，本发明也揭露一种制造半导体结构的方法。因此，通过高深宽比接触的笔直的临界尺寸，可以改善电容器结构的电容及漏电性能。

本文源自：金融界

作者：情报员