南亚科技申请半导体结构及其制造方法专利，可降低接触电阻提高半导体结构中 S/D 区的电流性能

金融界 2025 年 4 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119789415 A，申请日期为 2024 年 1 月。

专利摘要显示，本揭露的实施例提供了一种包括基板的半导体结构。基板包括主动区及位于主动区之间的隔离区。每个主动区的第一端具有第一头部，每个主动区的第二端具有第二头部，每个主动区的中间部分具有腰部。在俯视图中，每个主动区的第一头部及第二头部分别具有第一宽度，且每个主动区的腰部具有第二宽度。并且，第一宽度大于第二宽度。此外，本揭露也提供一种半导体结构的制造方法。通过本揭露的实施例可以降低接触电阻，进而提高半导体结构中 S/D 区的电流性能。

本文源自：金融界

作者：情报员